 для обчислень в оперативній пам'яті.){kind=link}
Spoločnosť Samsung oznámila, že ako prvá na svete demonštrovala technológiu MRAM (magnetoresistive random access memory) pre in-memory computing. Dokument spoločnosti s názvom „Cross-Array Magnetoresistive Devices for In-Memory Computing“ bol publikovaný v časopise Nature.
Dáta sú zvyčajne uložené vo vysokorýchlostnej DRAM procesora. MRAM však mení situáciu a integruje ukladanie údajov a výpočty, čo umožňuje, aby sa oboje dialo na rovnakom čipe. Teoreticky sa operácie v tomto prípade vykonávajú oveľa rýchlejšie, pretože nie je potrebné prenášať dáta z pamäte procesora a naopak. Okrem toho sa dosiahne výrazná úspora elektrickej energie, keďže spracovanie dát prebieha v pamäti veľmi paralelne.
Táto demonštrácia je prelomová, pretože zatiaľ čo iné výpočtové riešenia v pamäti ako PRAM a RRAM už boli demonštrované, funkčnú MRAM bolo dosť ťažké dosiahnuť, hlavne kvôli jej nízkemu odporu. Taktiež nebolo možné využiť výhodu energetickej účinnosti MRAM v štandardnej výpočtovej architektúre v pamäti.
Spoločnosť Samsung umožnila MRAM pomocou patentovaného čipu poľa MRAM, ktorý na vyriešenie problému odporu používa súčet odporu namiesto štandardného súčtu prúdu.
Riešenie bolo testované pomocou aplikácií umelej inteligencie (AI) a preukázalo 98 % presnosť pri klasifikácii ručne písaných číslic a 93 % presnosť pri detekcii tvárí na obrázkoch. Samsung tvrdí, že technológiu MRAM možno použiť na spracovanie AI a na vytváranie vysokovýkonných AI čipov.
Dr. Seunchul Jung, prvý autor článku, povedal: „Výpočet v pamäti je podobný mozgu v tom zmysle, že v mozgu sa výpočty odohrávajú aj v biologických pamäťových sieťach alebo synapsiách – bodoch, kde sa neuróny navzájom dotýkajú. V skutočnosti, hoci výpočet vykonávaný našou sieťou MRAM má iný účel ako výpočet vykonávaný v súčasnosti mozgom, takáto polovodičová pamäťová sieť môže byť v budúcnosti použitá ako platforma na simuláciu mozgu simuláciou komunikácie mozgové synapsie“.
Prečítajte si tiež: