Japonský výrobca mikroobvodov Kioxia vyvinutá flash pamäť NAND s približne 170 vrstvami, čím sa pripojil k svojmu americkému kolegovi Micron Technology a juhokórejskému SK Hynix vo vývoji pokročilých technológií.
Nová pamäť NAND bola vyvinutá spolu s americkým partnerom Western Digital a dokáže zaznamenávať dáta dvakrát rýchlejšie ako súčasný špičkový produkt Kioxia, ktorý pozostáva zo 112 vrstiev.
Kioxia, predtým známa ako Toshiba Memory, plánuje predstaviť svoju novú NAND na International Solid State Conference, každoročnom globálnom fóre polovodičového priemyslu, a plánuje spustiť sériovú výrobu už na budúci rok.
Dúfa, že uspokojí dopyt spojený s dátovými centrami a smartfónmi, keďže šírenie bezdrôtových technológií piatej generácie vedie k zvýšeným objemom a rýchlostiam prenosu dát. Ale konkurencia v tejto oblasti sa už zintenzívňuje: Micron a SK Hynix ohlasujú svoje nové produkty.
Kioxia tiež dokázala umiestniť viac pamäťových buniek na vrstvu pomocou novej NAND, čo znamená, že dokáže vyrobiť čipy o 30 % menšie ako ostatné s rovnakým množstvom pamäte. Menšie mikroobvody umožnia väčšiu flexibilitu pri vytváraní smartfónov, serverov a iných produktov.
Na zvýšenie výroby flash pamätí plánujú Kioxia a Western Digital túto jar začať s výstavbou závodu v japonskom Yokkaido za 9,45 miliardy dolárov. Ich cieľom je uviesť prvé linky do prevádzky už v roku 2022.
Prečítajte si tiež: